Samsung 开始生产 10 纳米级 DRAM
据 TIMES,Samsung 已经开始生产 10 纳米级 DRAM。据悉,Samsung 在今年年 初宣布半导体事业 2016年 将正式进入 10 纳米时代,借着量产 18 纳米 DRAM 与 10 纳米鳍式场效晶体管 (FinFET) 制程芯片,以扩大技术差距的策略守住半导体领先优势。业界认为 Samsung 最快在 2016 Q4 就可采用 10 纳米 FinFET 制程量产系统半导体,进度可望超越 Intel 的 14 纳米与台积电的 16 纳米制程。