复旦大学的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片,使用半导体结构研发的存储芯片在性能上更优秀。具体来说,与DRAM内存相比,它的数据刷新时间是前者的156倍,也就是能保存更长时间的数据,同时具备纳秒(ns)级的写入速度(NAND闪存的延迟一般在毫秒级),与传统二维材料相比其速度快了100万倍。
| 发布者: | fsjc68 | 浏览次数: | 325 |
| 有效期至: | 长期有效 | 发布时间: | 2018-04-12 16:19 |

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