国星光电：已具备GaN芯片技术储备积极开展GaN功率器件等研发工作

今日，国星光电（002449）召开年度股东大会，会上审议通过了《2021年度董事会工作报告》等12个议案。去年，国星实现营业收入38.06亿元，同比增长16.64%。归母净利润2.03亿元，同比增长100.28%；扣非后归母净利润1.48亿元，同比增长157.10%。

值得注意的是，2021年，国星光电在研发方面投入2.38亿元，同比大幅增长63.19%，占营业收入比例为6.26%。涉及研发项目包括硅基AIGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用、彩色Micro LED显示与超高亮度微显示技术研究、高性能新型显示期间研发及产业化、车用LED芯片、紫外光等，折射新型显示、车用照明、消杀照明、封装技术等。

目前，国星光电已推出SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件三大系列的第三代半导体。其中，SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作，可迅速响应对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。另外，国星光电子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备，并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作，且参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。

国星光电表示：“未来，将继续巩固RGB显示屏用器件优势做优做大做强，持续深耕Mini LED技术做精做强做专。具体措施为一方面加强Mini/Micro LED直显技术储备，另一方面扩大Mini LED背光产能规模，完善Mini技术路线布局。”（文穗）

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