Windows爆RID绑架漏洞

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三星宣布7nm LPP量产三星的7nm LPP采用EUV光刻，对比10nm FinFET，7nm LPP可实现面积能效（同样复杂度为量纲）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

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美光推进DDR5内存芯片根据美光的最新说法，其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产，基于18nm以下工艺，这就意味着，搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。