三星电子宣布,将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产,这也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。三星方面表示:“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺,将以此提高技术领先地位。”
三星3nm芯片将于第二季度开始量产
三星电子宣布,将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产,这也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。三星方面表示:“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺,将以此提高技术领先地位。”
三星电子宣布,将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产,这也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。三星方面表示:“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺,将以此提高技术领先地位。”